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微機電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 基于光學干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)殘余應變測量方法

標 準 號： GB/T 34900-2017
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位： 中機生產(chǎn)力促進中心
發(fā)布日期： 2017-11-01
實施日期： 2018-05-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2018年04月15日
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了基于光學干涉顯微鏡獲取的微雙端固支梁結(jié)構(gòu)表面形貌進行殘余應變測量的方法。
本標準適用于表面反射率不低于4%且使用光學干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微雙端固支梁結(jié)構(gòu)。

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