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半導(dǎo)體紫外發(fā)射二極管 第2部分:芯片規(guī)范

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): SJ/T 11818.2-2022
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 等
發(fā)布日期: 2022-09-30
實(shí)施日期: 2023-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2023年10月22日
內(nèi)容摘要

本文件主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體紫外發(fā)射二極管芯片的技術(shù)要求(芯片極限值、光電特性等)、試驗(yàn)條件、檢驗(yàn)要求、質(zhì)量評(píng)定程序、標(biāo)志等,且還規(guī)定了芯片篩選、逐批和周期質(zhì)量一致性檢驗(yàn)要求,以及 A、B、C 組的劃分及試驗(yàn)組成等內(nèi)容。

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