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GaN-SI型半絕緣氮化鎵單晶片規(guī)范

標(biāo) 準(zhǔn) 號： SJ 21442-2018
替代情況：
發(fā)布單位： 國家國防科技工業(yè)局
起草單位： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
發(fā)布日期： 2018-01-18
實(shí)施日期： 2018-05-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2022年09月17日
內(nèi)容摘要

本規(guī)范規(guī)定了GaN-SI型半絕緣氮化鎵單晶片的要求、質(zhì)量保證規(guī)定、交貨準(zhǔn)備等。

本規(guī)范適用于GaN-SI型半絕緣氮化鎵單晶片（以下簡稱氮化鎵單晶片）。


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