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碳化硅單晶電學性能的測試方法 的測試方法
標 準 號:
SJ/T 11499-2015
替代情況:
發(fā)布單位:
中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位:
工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院
發(fā)布日期:
2015-04-30
實施日期:
2015-10-01
點 擊 數(shù):
更新日期:
2021年04月09日
內(nèi)容摘要
本標準規(guī)定了利用范德堡法測試6H、4H等晶型碳化硅單晶的導電類型、電阻率、遷移率、載流子濃度的方法。
下一篇:
集成電路用正膠顯影液
上一篇:
紅外吸收法測量砷化鎵中硼含量
如需幫助,請聯(lián)系我們。聯(lián)系電話400-6018-655。
Tag:
安全標準
.
碳化硅
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