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半導(dǎo)體集成電路 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： SJ/T 11706-2018
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位： 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院等
發(fā)布日期： 2018-02-09
實(shí)施日期： 2018-04-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2019年04月06日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了SRAM型現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（Field Programmable Gate Array，以下簡(jiǎn)稱FPGA）的電參數(shù)測(cè)試方法。

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