進(jìn)入90年代，變電站無人值班改造相繼進(jìn)行，大量控制和保護(hù)設(shè)備改為微機(jī)型。為加強(qiáng)通信的可靠性，一點(diǎn)多址小微波進(jìn)入主控室，大大小小的微波塔與主控室或并行而立，或干脆設(shè)在主控室屋頂。這些改造往往由不同專業(yè)部門分別完成，缺乏統(tǒng)籌考慮，這就給防雷工作帶來了一系列問題。
　　
　　老式變電站改造后帶來的防雷問題
　　
　　80年代前的110kV及以下變電站的主控室多數(shù)為單層平房、磚混結(jié)構(gòu)，屋頂沒有做均壓帶，鋼筋也沒與接地網(wǎng)焊接。由于高度較低，其防雷一般由站區(qū)避雷針兼顧，也有的未予考慮。少數(shù)主控室屬于樓房結(jié)構(gòu)，由于當(dāng)時(shí)控制和保護(hù)設(shè)備多為電磁型，也僅按一般建筑防雷要求進(jìn)行簡單處理。
　　無人值班改造后，因小微波設(shè)備小巧簡單，一般放在主控室側(cè)壁上，同時(shí)考慮信號(hào)衰減因素，微波塔多與主控室的距離很近，一般小于5m，甚至干脆立于主控室屋頂上。這兩種布置對主控室的危害有：
　　a.雷擊時(shí)，通過微波塔瞬間的雷電流會(huì)在周圍空間形成劇變的電磁場，對主控室設(shè)備將產(chǎn)生電磁干擾。
　　b.產(chǎn)生的反擊雷電波流過接地引下線或建筑物的金屬導(dǎo)體時(shí)，均存在設(shè)備外殼電位升高及向電源或其他低電位引線的反擊問題。
　　c.雷擊微波塔時(shí)，塔體上會(huì)產(chǎn)生很高的電位，從而對近距離物體反擊。
　　《電力系統(tǒng)微波通信工程設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)程》DL5025—93及《電力設(shè)備過電壓保護(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)程》SDJ7—79對防雷問題均有相應(yīng)規(guī)定，但由于微波塔的介入，給原本受避雷針保護(hù)或雖不受避雷針保護(hù)但防雷環(huán)境較好的主控室?guī)砹朔览讍栴}，增加了引雷機(jī)會(huì)，使主控室不能滿足技術(shù)規(guī)程要求。
　　
　　雷電對計(jì)算機(jī)等弱電設(shè)備的干擾和破壞
　　
　　對于低壓電子設(shè)備而言，雷電是主要的干擾源之一。雷擊建筑物上的防雷裝置時(shí)，一方面將導(dǎo)致建筑物內(nèi)地電位的升高；另一方面雷電流對二次電纜和設(shè)備產(chǎn)生強(qiáng)電磁干擾，導(dǎo)致設(shè)備損壞或數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕靵y。雷擊時(shí)室內(nèi)工作人員的人身安全也將受到嚴(yán)重威脅。
　　雷擊建筑物上防雷裝置時(shí)產(chǎn)生的干擾，主要來自：①雷電放電主通道產(chǎn)生的電磁干擾；②雷擊建筑物時(shí)在建筑物雷電保護(hù)系統(tǒng)（如避雷帶等）或建筑物本身鋼筋結(jié)構(gòu)上流過的雷電流對室內(nèi)的干擾。前者干擾體現(xiàn)于電磁場，后者除電磁感應(yīng)外，還易引起地電位分布不均，造成電位差。
　　變電站中，在發(fā)生操作或接點(diǎn)故障時(shí)，所產(chǎn)生的入地電流和電弧會(huì)引起電磁輻射。雷擊時(shí)，雷電流同工頻接地短路電流相比，其幅值高，上升快，因而輻射更強(qiáng)烈。資料表明，雷電波所產(chǎn)生的電磁波脈沖（EMP）強(qiáng)度極高，電場強(qiáng)度可達(dá)105V／m，磁場強(qiáng)度可達(dá)260A／m，對附近設(shè)備，特別是計(jì)算機(jī)等弱電設(shè)備，可引起電路性能惡化和部分元件燒毀。
　　在老式變電站中，往往采用共地接地方式，即計(jì)算機(jī)和變電站接地共同使用一個(gè)地網(wǎng)的接地方式。優(yōu)點(diǎn)是有同一個(gè)基準(zhǔn)電位，在發(fā)生故障時(shí)，整個(gè)地網(wǎng)的電位同時(shí)抬高，不會(huì)在計(jì)算機(jī)上造成較大的電位差，有利于人身和設(shè)備的安全。但是，共地式也存在正?；蚴鹿是闆r下強(qiáng)電對弱電的干擾問題，計(jì)算機(jī)等弱電設(shè)備內(nèi)部電路（TTL，CMOS）的閾值電壓一般不大于5V，這意味著只要大于5V的電磁干擾脈沖電壓進(jìn)入計(jì)算機(jī)，就有可能導(dǎo)致計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)或指令錯(cuò)誤。
　　根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn)，室內(nèi)低壓裝置的耐沖擊電壓最高僅為6kV。當(dāng)微波塔遭直接雷擊時(shí)，假設(shè)流經(jīng)靠近低壓電氣裝置處接地裝置的雷電流為20kA，以及接地裝置的沖擊接地電阻甚至低至0.5Ω，這時(shí)，在接地裝置上電位升高為10kV。由于共同接地，低壓電氣裝置接地的金屬外殼的電位比帶電體（相導(dǎo)體）也約高10kV。在這種情況下，在低壓電氣裝置絕緣較弱處將可能被擊穿而造成短路，損壞設(shè)備。