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半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 42271-2022
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
發(fā)布日期： 2022-12-30
實(shí)施日期： 2023-04-01
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更新日期： 2023年02月19日
內(nèi)容摘要

本文件描述了半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測(cè)試方法。
本文件適用于測(cè)量電阻率范圍為 1×10 5 Ω·cm～1×1012Ω·cm的半絕緣碳化硅單晶片。

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