本文件描述了用扇形磁場(chǎng)或四極桿式二次離子質(zhì)譜儀對(duì)硅中硼進(jìn)行深度剖析的方法，以及用觸針式表面輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標(biāo)的方法。
本文件適用于硼原子濃度范圍1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的單晶硅、多晶硅或非晶硅樣品，濺射弧坑深度在50 nm及以上。