本文件描述了測(cè)量經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光或外延生長(zhǎng)的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件適用于以下情形：
——原子序數(shù)從16（S）到92（U）的元素；
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之間的污染元素；
——采用VPD（氣相分解）樣品制備方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之間的污染元素（見(jiàn)3.4）。
