本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用俄歇電子能譜（AES）和X射線光電子能譜（XPS）測(cè)定深度剖析離子濺射速率的方法，試樣的離子濺射面積范圍為0.4 mm?2～3.0 mm?2。本標(biāo)準(zhǔn)只適用于橫向均勻的體相材料或單層材料，其離子濺射速率由濺射深度與濺射時(shí)間確定，濺射深度通過(guò)機(jī)械探針輪廓儀測(cè)得。?本標(biāo)準(zhǔn)提供了一種將深度剖析中的離子濺射時(shí)間轉(zhuǎn)換為濺射深度的方法，并假設(shè)濺射速率恒定。本方法不是為掃描探針顯微系統(tǒng)設(shè)計(jì)的，因此不能用掃描探針顯微系統(tǒng)評(píng)價(jià)該方法。本方法不適用于濺射面積小于0.4 mm?2的情況，也不適用于濺射誘導(dǎo)的表面粗糙度與被測(cè)區(qū)域的濺射深度相比較明顯的情況。