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碳化硅外延層厚度的測(cè)試 紅外反射法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 42905-2023
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司、安徽芯樂(lè)半導(dǎo)體有限公司、河北普興電子科技股份有限公司 等
發(fā)布日期： 2023-08-06
實(shí)施日期： 2024-03-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2023年09月11日
內(nèi)容摘要

本文件描述了采用紅外反射法測(cè)試碳化硅外延層厚度的方法。
本文件適用于n型摻雜濃度大于1×1018 ?cm-3的碳化硅襯底上同質(zhì)摻雜濃度小于1×1016 cm-3的同質(zhì)碳化硅外延層厚度的測(cè)試，測(cè)試范圍為3 μm～200 μm。

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