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高純硅鐵硼含量的測(cè)定電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): YB/T 4462-2015
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 青海百通高純材料開(kāi)發(fā)有限公司
發(fā)布日期: 2015-04-30
實(shí)施日期: 2015-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2019年06月08日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)測(cè)定高純硅鐵中硼的含量。本標(biāo)準(zhǔn)適用于高純硅鐵中硼含量的測(cè)定。測(cè)定范圍(質(zhì)量分?jǐn)?shù)):0.001%~0.010% 。

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