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半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2濃度紅外吸收測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 17170-2015
替代情況： 替代 GB/T 17170-1997
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 信息產(chǎn)業(yè)專(zhuān)用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司、中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)
發(fā)布日期： 2015-12-10
實(shí)施日期： 2016-07-01
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更新日期： 2017年11月22日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的紅外吸收測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于106 Ω·cm 的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的測(cè)定。
本標(biāo)準(zhǔn)不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵單晶深施主 EL2濃度的測(cè)定。

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