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平面磁控濺射靶材 光學(xué)薄膜用硅靶

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): YS/T 719-2009
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 利達(dá)光電股份有限公司
發(fā)布日期: 2009-12-04
實(shí)施日期: 2010-06-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2017年03月12日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存及訂貨單(或合同)內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材。
 

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